Samsung SSD 990 EVO Plus 1TB NVMe M.2 2280 PCIe Gen5 x2 7150MB/s MZ-V9S1T0BW
Caratteristiche Principali
- SSD NVMe 1TB M.2 2280 Samsung
- Fino a 7.150 MB/s in lettura
- PCIe Gen4 x4 e Gen5 x2
- Prodotto nuovo, originale e garantito
Descrizione
Samsung SSD 990 EVO Plus 1TB NVMe M.2 2280 – MZ-V9S1T0BW
Unità a stato solido interna Samsung 990 EVO Plus da 1 TB in formato M.2 2280, con interfaccia PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 e protocollo NVMe 2.0: fino a 7.150 MB/s in lettura e 6.300 MB/s in scrittura.
Prestazioni NVMe di nuova generazione per PC e notebook
Il 990 EVO Plus rappresenta l’evoluzione della serie EVO di Samsung: rispetto a un SSD SATA tradizionale moltiplica la banda passante di oltre dieci volte, e rispetto alle precedenti generazioni NVMe migliora sensibilmente il rapporto tra prestazioni ed efficienza energetica. La doppia modalità di collegamento — quattro linee PCIe Gen 4 oppure due linee PCIe Gen 5 — lo rende un disco SSD interno versatile, capace di sfruttare al meglio sia le schede madri già in uso sia le piattaforme più recenti, con avvii di sistema rapidi, caricamenti quasi immediati nei giochi e trasferimenti fluidi di file di grandi dimensioni, progetti video 4K e librerie fotografiche.
Tecnologia e affidabilità
Il cuore dell’unità è il controller proprietario Samsung con rivestimento in nichel, abbinato alla memoria V-NAND TLC di 8ª generazione. La cache dinamica Intelligent TurboWrite 2.0 in modalità pSLC mantiene elevate le velocità di scrittura anche durante i trasferimenti prolungati, mentre il supporto HMB (Host Memory Buffer) permette un design compatto single-sided, ideale anche per i notebook con spazi ridotti. Il livello di sicurezza è garantito dalla crittografia hardware AES a 256 bit con supporto TCG/Opal 2.0 e IEEE1667.
Specifiche tecniche
- Modello / MPN: MZ-V9S1T0BW (serie 990 EVO Plus)
- Tipo: SSD interno M.2 NVMe
- Capacità: 1 TB
- Fattore di forma: M.2 2280, single-sided
- Interfaccia: PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 – NVMe 2.0
- Memoria: V-NAND TLC 8ª generazione (236 layer)
- Controller: Samsung in-house con rivestimento in nichel
- Cache: DRAM-less con HMB e Intelligent TurboWrite 2.0 (pSLC)
- Lettura sequenziale: fino a 7.150 MB/s
- Scrittura sequenziale: fino a 6.300 MB/s
- Lettura casuale (4KB QD32): fino a 850.000 IOPS
- Scrittura casuale (4KB QD32): fino a 1.350.000 IOPS
- Resistenza (TBW): 600 TBW
- MTBF: 1.500.000 ore
- Sicurezza: AES 256 bit (Classe 0), TCG/Opal v2.0, IEEE1667
- Funzioni supportate: S.M.A.R.T., TRIM, Garbage Collection automatica, Device Sleep Mode
- Alimentazione: 3,3 V – circa 4,3 W in lettura, 4,2 W in scrittura, 0,06 W in idle
- Temperatura operativa: da 0 °C a 70 °C
- Dimensioni unità: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm
- Peso unità: circa 9 g
Compatibilità
- PC desktop, notebook e workstation con slot M.2 2280 Key M e supporto PCIe NVMe
- Retrocompatibile con slot PCIe 3.0 e PCIe 4.0, pronto per le piattaforme PCIe 5.0
- Compatibile per formato e interfaccia con PlayStation 5 (per l’alloggiamento interno si consiglia un dissipatore idoneo)
- Gestione, monitoraggio e migrazione dati con il software Samsung Magician per Windows
Contenuto della confezione
- 1x SSD Samsung 990 EVO Plus 1TB (MZ-V9S1T0BW)
- Guida rapida all’installazione e informazioni sulla garanzia
Le viti o i distanziali di fissaggio M.2 non sono inclusi: dipendono dalla scheda madre o dal dispositivo host.
Un aggiornamento semplice, sicuro e duraturo
Sostituire o affiancare il disco esistente con questo SSD NVMe da 1 TB è il modo più diretto per restituire reattività al computer, con l’affidabilità di un produttore che realizza internamente memorie e controller. Prodotto nuovo e originale, con specifiche verificate e imballo integro: se hai dubbi sulla compatibilità con la tua scheda madre o sul tipo di installazione, il nostro supporto è a disposizione per aiutarti a scegliere con serenità.
Specifiche Tecniche
Specifiche dell'oggetto
| Garanzia | 24 mesi |
|---|---|
| Tipo | SSD interno M.2 NVMe |
| Marca | Samsung |
| Modello | 990 EVO Plus |
| Capacità | 1 TB |
| Fattore di forma | M.2 2280 (single-sided) |
| Interfaccia | PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2, NVMe 2.0 |
| Tipo di memoria | V-NAND TLC 8ª generazione (236 layer) |
| Controller | Samsung in-house con rivestimento in nichel |
| Cache | DRAM-less con HMB e Intelligent TurboWrite 2.0 |
| Velocità di lettura sequenziale | Fino a 7.150 MB/s |
| Velocità di scrittura sequenziale | Fino a 6.300 MB/s |
| Lettura casuale | Fino a 850.000 IOPS (4KB QD32) |
| Scrittura casuale | Fino a 1.350.000 IOPS (4KB QD32) |
| Resistenza in scrittura (TBW) | 600 TBW |
| MTBF | 1.500.000 ore |
| Crittografia | AES 256 bit (Classe 0), TCG/Opal v2.0, IEEE1667 |
| Funzioni supportate | S.M.A.R.T., TRIM, Garbage Collection, Device Sleep Mode |
| Tensione operativa | 3,3 V |
| Consumo | Circa 4,3 W lettura / 4,2 W scrittura / 0,06 W idle |
| Temperatura operativa | 0 °C - 70 °C |
| Dimensioni unità | 80,15 x 22,15 x 2,38 mm |
| Peso unità | 9 g |
| Colore | Nero |
| Software | Samsung Magician (Windows) |
| Condizione | Nuovo |
Dimensioni e Peso
| Peso | 0,068 kg |
|---|
Recensioni dei Clienti
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Recensioni
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