Samsung SSD 990 EVO Plus 1TB NVMe M.2 2280 PCIe Gen5 x2 7150MB/s MZ-V9S1T0BW

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Caratteristiche Principali

  • SSD NVMe 1TB M.2 2280 Samsung
  • Fino a 7.150 MB/s in lettura
  • PCIe Gen4 x4 e Gen5 x2
  • Prodotto nuovo, originale e garantito

Descrizione

Samsung SSD 990 EVO Plus 1TB NVMe M.2 2280 – MZ-V9S1T0BW

Unità a stato solido interna Samsung 990 EVO Plus da 1 TB in formato M.2 2280, con interfaccia PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 e protocollo NVMe 2.0: fino a 7.150 MB/s in lettura e 6.300 MB/s in scrittura.

Prestazioni NVMe di nuova generazione per PC e notebook

Il 990 EVO Plus rappresenta l’evoluzione della serie EVO di Samsung: rispetto a un SSD SATA tradizionale moltiplica la banda passante di oltre dieci volte, e rispetto alle precedenti generazioni NVMe migliora sensibilmente il rapporto tra prestazioni ed efficienza energetica. La doppia modalità di collegamento — quattro linee PCIe Gen 4 oppure due linee PCIe Gen 5 — lo rende un disco SSD interno versatile, capace di sfruttare al meglio sia le schede madri già in uso sia le piattaforme più recenti, con avvii di sistema rapidi, caricamenti quasi immediati nei giochi e trasferimenti fluidi di file di grandi dimensioni, progetti video 4K e librerie fotografiche.

Tecnologia e affidabilità

Il cuore dell’unità è il controller proprietario Samsung con rivestimento in nichel, abbinato alla memoria V-NAND TLC di 8ª generazione. La cache dinamica Intelligent TurboWrite 2.0 in modalità pSLC mantiene elevate le velocità di scrittura anche durante i trasferimenti prolungati, mentre il supporto HMB (Host Memory Buffer) permette un design compatto single-sided, ideale anche per i notebook con spazi ridotti. Il livello di sicurezza è garantito dalla crittografia hardware AES a 256 bit con supporto TCG/Opal 2.0 e IEEE1667.

Specifiche tecniche

  • Modello / MPN: MZ-V9S1T0BW (serie 990 EVO Plus)
  • Tipo: SSD interno M.2 NVMe
  • Capacità: 1 TB
  • Fattore di forma: M.2 2280, single-sided
  • Interfaccia: PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 – NVMe 2.0
  • Memoria: V-NAND TLC 8ª generazione (236 layer)
  • Controller: Samsung in-house con rivestimento in nichel
  • Cache: DRAM-less con HMB e Intelligent TurboWrite 2.0 (pSLC)
  • Lettura sequenziale: fino a 7.150 MB/s
  • Scrittura sequenziale: fino a 6.300 MB/s
  • Lettura casuale (4KB QD32): fino a 850.000 IOPS
  • Scrittura casuale (4KB QD32): fino a 1.350.000 IOPS
  • Resistenza (TBW): 600 TBW
  • MTBF: 1.500.000 ore
  • Sicurezza: AES 256 bit (Classe 0), TCG/Opal v2.0, IEEE1667
  • Funzioni supportate: S.M.A.R.T., TRIM, Garbage Collection automatica, Device Sleep Mode
  • Alimentazione: 3,3 V – circa 4,3 W in lettura, 4,2 W in scrittura, 0,06 W in idle
  • Temperatura operativa: da 0 °C a 70 °C
  • Dimensioni unità: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm
  • Peso unità: circa 9 g

Compatibilità

  • PC desktop, notebook e workstation con slot M.2 2280 Key M e supporto PCIe NVMe
  • Retrocompatibile con slot PCIe 3.0 e PCIe 4.0, pronto per le piattaforme PCIe 5.0
  • Compatibile per formato e interfaccia con PlayStation 5 (per l’alloggiamento interno si consiglia un dissipatore idoneo)
  • Gestione, monitoraggio e migrazione dati con il software Samsung Magician per Windows

Contenuto della confezione

  • 1x SSD Samsung 990 EVO Plus 1TB (MZ-V9S1T0BW)
  • Guida rapida all’installazione e informazioni sulla garanzia

Le viti o i distanziali di fissaggio M.2 non sono inclusi: dipendono dalla scheda madre o dal dispositivo host.

Un aggiornamento semplice, sicuro e duraturo

Sostituire o affiancare il disco esistente con questo SSD NVMe da 1 TB è il modo più diretto per restituire reattività al computer, con l’affidabilità di un produttore che realizza internamente memorie e controller. Prodotto nuovo e originale, con specifiche verificate e imballo integro: se hai dubbi sulla compatibilità con la tua scheda madre o sul tipo di installazione, il nostro supporto è a disposizione per aiutarti a scegliere con serenità.

Specifiche Tecniche

Specifiche dell'oggetto

Garanzia24 mesi
TipoSSD interno M.2 NVMe
MarcaSamsung
Modello990 EVO Plus
Capacità1 TB
Fattore di formaM.2 2280 (single-sided)
InterfacciaPCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2, NVMe 2.0
Tipo di memoriaV-NAND TLC 8ª generazione (236 layer)
ControllerSamsung in-house con rivestimento in nichel
CacheDRAM-less con HMB e Intelligent TurboWrite 2.0
Velocità di lettura sequenzialeFino a 7.150 MB/s
Velocità di scrittura sequenzialeFino a 6.300 MB/s
Lettura casualeFino a 850.000 IOPS (4KB QD32)
Scrittura casualeFino a 1.350.000 IOPS (4KB QD32)
Resistenza in scrittura (TBW)600 TBW
MTBF1.500.000 ore
CrittografiaAES 256 bit (Classe 0), TCG/Opal v2.0, IEEE1667
Funzioni supportateS.M.A.R.T., TRIM, Garbage Collection, Device Sleep Mode
Tensione operativa3,3 V
ConsumoCirca 4,3 W lettura / 4,2 W scrittura / 0,06 W idle
Temperatura operativa0 °C - 70 °C
Dimensioni unità80,15 x 22,15 x 2,38 mm
Peso unità9 g
ColoreNero
SoftwareSamsung Magician (Windows)
CondizioneNuovo

Dimensioni e Peso

Peso0,068 kg

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